SH8J65TB1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SH8J65TB1
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
Варақаҳои маълумот:	SH8J65TB1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Logic Level Gate
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	18nC @ 5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 10V
Ҳокимият - Макс	2W
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SOP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2411

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	SH8JB5TB1 ROHM Semiconductor
	SH8JC5TB1 ROHM Semiconductor
	SH8J66TB1 ROHM Semiconductor
	SH8J62TB1 ROHM Semiconductor
	SH8J65TB1 ROHM Semiconductor
	SH8J31GZETB ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.