Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | IRF7902TRPBF |
Истеҳсолкунанда: | Rochester Electronics |
Қисми Тавсифи: | HEXFET POWER MOSFET |
Варақаҳои маълумот: | IRF7902TRPBF Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | HEXFET® |
Баста | Bulk |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | 2 N-Channel (Dual) |
Хусусияти FET | - |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 30V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Ta), 9.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 25µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 6.9nC, 9.8nC @ 4.5V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF, 900pF @ 15V |
Ҳокимият - Макс | 1.4W (Ta), 2W (Ta) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи / Парвандаи | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | 8-SO |
Ҳолати саҳҳомӣ: 2789
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.