PMPB27EP,115

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMPB27EP,115
Истеҳсолкунанда:	Nexperia
Қисми Тавсифи:	MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Варақаҳои маълумот:	PMPB27EP,115 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Nexperia #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	P-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	6.1A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1570 pF @ 15 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DFN2020MD-6
Бастаи / Парвандаи	6-UDFN Exposed Pad

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMPB27EP,115 Nexperia
	PMPB33XP,115 Nexperia
	PMPB23XNE,115 Rochester Electronics
	PMPB85ENEAX Nexperia
	PMPB20XPE,115 Nexperia
	PMPB14XPX Nexperia
	PMPB10UPX Nexperia
	PMPB43XPEAX Nexperia
	PMPB20XNEAZ Nexperia
	PMPB19XP,115 Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.