R6020JNZC8

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	R6020JNZC8
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	600 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	234mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	7V @ 3.5mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	45 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 100 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	76W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3PF
Бастаи / Парвандаи	TO-3P-3 Full Pack

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 30

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	R6020JNZC8 ROHM Semiconductor
	R6020ENZ1C9 ROHM Semiconductor
	R6020ANZC8 ROHM Semiconductor
	R6020PNJFRATL ROHM Semiconductor
	R6024ENZ1C9 ROHM Semiconductor
	R6024ENX ROHM Semiconductor
	R6020JNXC7G ROHM Semiconductor
	R6024ENJTL ROHM Semiconductor
	R6020ENZC8 ROHM Semiconductor
	R6020FNJTL ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.