PSMN085-150K,518

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PSMN085-150K,518
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchMOS™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	150 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.5A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1.31 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	3.5W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SO
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PSMN1R6-30BL,118 Nexperia
	PSMN4R0-40YS,115 Nexperia
	PSMN4R6-60PS,127 Nexperia
	PSMN6R0-25YLDX Nexperia
	PSMN0R9-25YLDX Nexperia
	PSMN3R0-30YL,115 Nexperia
	PSMN1R0-40SSHJ Nexperia
	PSMN085-150K,518 Rochester Electronics
	PSMN2R0-60PSRQ Nexperia
	PSMN028-100YS,115 Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.