NTBV45N06T4G

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	NTBV45N06T4G
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	60 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	45A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	-
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1.725 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	-
Ҳарорати корӣ	-
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	D2PAK
Бастаи / Парвандаи	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 62973

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	NTBV45N06T4G Rochester Electronics
	NTBV30N20T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTBV75N06T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTBV25P06T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTBV45N06LT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.