Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SCT2280KEC |
Истеҳсолкунанда: | ROHM Semiconductor |
Қисми Тавсифи: | SICFET N-CH 1200V 14A TO247 |
Варақаҳои маълумот: | SCT2280KEC Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | - |
Баста | Tube |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 1200 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364mOhm @ 4A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 36 nC @ 18 V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 667 pF @ 800 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 108W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | 175°C (TJ) |
Навъи васл | Through Hole |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | TO-247 |
Бастаи / Парвандаи | TO-247-3 |
Ҳолати саҳҳомӣ: 2075
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.