IPA70R600P7SXKSA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IPA70R600P7SXKSA1
Истеҳсолкунанда:	IR (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Варақаҳои маълумот:	IPA70R600P7SXKSA1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: IR (Infineon Technologies) #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	CoolMOS™ P7
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	700 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	8.5A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	364 pF @ 400 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	25W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	PG-TO220 Full Pack
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3 Full Pack

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 116

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	IPA70R600P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPA70R900P7SXKSA1 Rochester Electronics
	IPA70R360P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPA70R750P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPA70R450P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.