IGT60R190D1SATMA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IGT60R190D1SATMA1
Истеҳсолкунанда:	IR (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи:	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Варақаҳои маълумот:	IGT60R190D1SATMA1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: IR (Infineon Technologies) #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	CoolGaN™
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	600 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	55.5W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	PG-HSOF-8-3
Бастаи / Парвандаи	8-PowerSFN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 50

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	IGT60R190D1SATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IGT60R070D1ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.