STP57N65M5

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	STP57N65M5
Истеҳсолкунанда:	STMicroelectronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 650V 42A TO220
Варақаҳои маълумот:	STP57N65M5 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: STMicroelectronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	MDmesh™ V
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	650 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	42A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 100 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	250W (Tc)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-220
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2513

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	STP5NK40Z STMicroelectronics
	STP50NE10 STMicroelectronics
	STP57N65M5 STMicroelectronics
	STP5N80K5 STMicroelectronics
	STP5NK100Z STMicroelectronics
	STP5N52K3 STMicroelectronics
	STP5NK50ZFP STMicroelectronics
	STP5NK65ZFP STMicroelectronics
	STP55NF06L STMicroelectronics
	STP50N65DM6 STMicroelectronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.