Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | IPD50R500CEBTMA1 |
Истеҳсолкунанда: | Rochester Electronics |
Қисми Тавсифи: | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Варақаҳои маълумот: | IPD50R500CEBTMA1 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | CoolMOS™ |
Баста | Bulk |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 500 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
Хусусияти FET | Super Junction |
Пардохти барқ (Макс) | 57W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | PG-TO252-3 |
Бастаи / Парвандаи | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ҳолати саҳҳомӣ: 15921
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.