Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SI2336DS-T1-BE3 |
Истеҳсолкунанда: | Vishay / Siliconix |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23 |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | TrenchFET® |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 30 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta), 5.2A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
Vgs (Max) | ±8V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | SOT-23-3 (TO-236) |
Бастаи / Парвандаи | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Ҳолати саҳҳомӣ: 2995
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.