G3R450MT17J

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	G3R450MT17J
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	G3R™
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	1700 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	585mOhm @ 4A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 2mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	18 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±15V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 1000 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	91W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-263-7
Бастаи / Парвандаи	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 998

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.