RTF025N03TL

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	RTF025N03TL
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Варақаҳои маълумот:	RTF025N03TL Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	12V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	270 pF @ 10 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	800mW (Ta)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TUMT3
Бастаи / Парвандаи	3-SMD, Flat Lead

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 3110

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	RTF015N03TL ROHM Semiconductor
	RTF025N03TL ROHM Semiconductor
	RTF016N05FRATL ROHM Semiconductor
	RTF025N03FRATL ROHM Semiconductor
	RTF010P02TL ROHM Semiconductor
	RTF016N05TL ROHM Semiconductor
	RTF020P02TL ROHM Semiconductor
	RTF015P02TL ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.