+1(337)-398-8111 Live-Chat
ROHM Semiconductor / RUU002N05T106

RUU002N05T106

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: RUU002N05T106
Истеҳсолкунанда: ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Варақаҳои маълумот: RUU002N05T106 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ: Дар фурӯш
Фиристодан аз: Hong Kong
Роҳи интиқол: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ЭЗОД
ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти
Навъи Тавсифи
Силсила-
БастаTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисмиNot For New Designs
Намуди FETN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)50 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
Хусусияти FET-
Пардохти барқ ​​(Макс)200mW (Ta)
Ҳарорати корӣ150°C (TJ)
Навъи васлSurface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунандаUMT3
Бастаи / ПарвандаиSC-70, SOT-323
Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2900

Ҳадди ақал: 1

Миқдор Нархи чакана Дохил. Нарх

Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул
Product

RUU002N05T106

ROHM Semiconductor

Top