IXTN660N04T4

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IXTN660N04T4
Истеҳсолкунанда:	Wickmann / Littelfuse
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Варақаҳои маълумот:	IXTN660N04T4 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Wickmann / Littelfuse #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchT4™
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	40 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	660A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	860 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±15V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	44000 pF @ 25 V
Хусусияти FET	Current Sensing
Пардохти барқ (Макс)	1040W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	SOT-227B
Бастаи / Парвандаи	SOT-227-4, miniBLOC

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 291

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.