RP1E100RPTR

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	RP1E100RPTR
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Варақаҳои маълумот:	RP1E100RPTR Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	P-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	39 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	3600 pF @ 10 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	2W (Ta)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	MPT6
Бастаи / Парвандаи	6-SMD, Flat Leads

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	RP1E100XNTR ROHM Semiconductor
	RP1E100RPTR ROHM Semiconductor
	RP1E070XNTCR ROHM Semiconductor
	RP1E090XNTCR ROHM Semiconductor
	RP1E090RPTR ROHM Semiconductor
	RP1E125XNTR ROHM Semiconductor
	RP1E075RPTR ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.