TK190U65Z,RQ

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	TK190U65Z,RQ
Истеҳсолкунанда:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Қисми Тавсифи:	DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Варақаҳои маълумот:	TK190U65Z,RQ Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	DTMOSVI
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	650 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 610µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 300 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	130W (Tc)
Ҳарорати корӣ	150°C
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TOLL
Бастаи / Парвандаи	8-PowerSFN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 4000

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	TK190U65Z,RQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK190A65Z,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.