Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | FQA27N25 |
Истеҳсолкунанда: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN |
Варақаҳои маълумот: | FQA27N25 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | QFET® |
Баста | Tube |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 250 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 210W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Through Hole |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | TO-3PN |
Бастаи / Парвандаи | TO-3P-3, SC-65-3 |
Ҳолати саҳҳомӣ: 560900
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.