Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SISS70DN-T1-GE3 |
Истеҳсолкунанда: | Vishay / Siliconix |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK |
Варақаҳои маълумот: | SISS70DN-T1-GE3 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | TrenchFET® |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 125 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta), 31A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.8mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 62.5 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Бастаи / Парвандаи | PowerPAK® 1212-8S |
Ҳолати саҳҳомӣ: 5559
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.