PMV56XN,215

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMV56XN,215
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Варақаҳои маълумот:	PMV56XN,215 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchMOS™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	20 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.76A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	650mV @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	230 pF @ 10 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	1.92W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-65°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-236AB
Бастаи / Парвандаи	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 86150

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMV50ENEAR Nexperia
	PMV50UPEVL Nexperia
	PMV55ENEAR Nexperia
	PMV56XN,215 Rochester Electronics
	PMV50XPR Nexperia
	PMV52ENEAR Nexperia
	PMV50EPEAR Nexperia
	PMV50XP215 Rochester Electronics
	PMV50UPE,215 Nexperia
	PMV50XNEAR Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.