Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | ISC017N04NM5ATMA1 |
Истеҳсолкунанда: | IR (Infineon Technologies) |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8 |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | OptiMOS™5 |
Баста | Tape & Reel (TR) |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 40 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 193A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 60µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 20 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | PG-TDSON-8 FL |
Бастаи / Парвандаи | 8-PowerTDFN |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.