MSC40SM120JCU3

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	MSC40SM120JCU3
Истеҳсолкунанда:	Roving Networks / Microchip Technology
Қисми Тавсифи:	TRANS SJT N-CH 1.2KV 55A SOT227
Варақаҳои маълумот:	MSC40SM120JCU3 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Roving Networks / Microchip Technology #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	1.2 kV
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	137 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1990 pF/m @ 1000 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	245W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	SOT-227 (ISOTOP®)
Бастаи / Парвандаи	SOT-227-4, miniBLOC

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 54

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	MSC40SM120JCU2 Roving Networks / Microchip Technology
	MSC40SM120JCU3 Roving Networks / Microchip Technology

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.