Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | IPU60R1K4C6BKMA1 |
Истеҳсолкунанда: | Rochester Electronics |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 |
Варақаҳои маълумот: | IPU60R1K4C6BKMA1 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | CoolMOS™ C6 |
Баста | Bulk |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 600 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 28.4W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Through Hole |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | PG-TO251-3 |
Бастаи / Парвандаи | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Ҳолати саҳҳомӣ: 40500
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.