NTB12N50

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	NTB12N50
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Варақаҳои маълумот:	NTB12N50 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	*
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	-
Технология	-
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	-
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	-
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	-
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	-
Ҳарорати корӣ	-
Навъи васл	-
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	-
Бастаи / Парвандаи	-

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	NTB18N06G Rochester Electronics
	NTB125N02RT4 Rochester Electronics
	NTB13N10 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB10N40 Rochester Electronics
	NTB10N60 Rochester Electronics
	NTB18N06T4 Rochester Electronics
	NTB12N50T4 Rochester Electronics
	NTB125N02RT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB150N65S3HF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB12N50 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.