STY139N65M5

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	STY139N65M5
Истеҳсолкунанда:	STMicroelectronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Варақаҳои маълумот:	STY139N65M5 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: STMicroelectronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	MDmesh™ V
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	650 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	363 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	15600 pF @ 100 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	625W (Tc)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	MAX247™
Бастаи / Парвандаи	TO-247-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2163

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	STY139N65M5 STMicroelectronics
	STY112N65M5 STMicroelectronics
	STY145N65M5 STMicroelectronics
	STY100NM60N STMicroelectronics
	STY140NS10 STMicroelectronics
	STY130NF20D STMicroelectronics
	STY100NS20FD STMicroelectronics
	STY105NM50N STMicroelectronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.