XPH3R206NC,L1XHQ

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	XPH3R206NC,L1XHQ
Истеҳсолкунанда:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Варақаҳои маълумот:	XPH3R206NC,L1XHQ Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	60 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	70A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	4180 pF @ 10 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Ҳарорати корӣ	175°C
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SOP Advance (5x5)
Бастаи / Парвандаи	8-PowerVDFN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 9763

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.