PMV45EN,215

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMV45EN,215
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Варақаҳои маълумот:	PMV45EN,215 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchMOS™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	5.4A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 30 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	280mW (Tj)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-236AB (SOT23)
Бастаи / Парвандаи	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 9392

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMV48XPAR Nexperia
	PMV48XP/MI215 Rochester Electronics
	PMV45EN2VL Nexperia
	PMV45EN2R Nexperia
	PMV48XPA215 Rochester Electronics
	PMV450ENEAR Nexperia
	PMV40UN2R Nexperia
	PMV45EN,215 Rochester Electronics
	PMV42ENER Nexperia
	PMV48XPA2R Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.