PMN55ENEH

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMN55ENEH
Истеҳсолкунанда:	Nexperia
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Варақаҳои маълумот:	PMN55ENEH Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Nexperia #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchMOS™
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	60 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	646 pF @ 30 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	6-TSOP
Бастаи / Парвандаи	SC-74, SOT-457

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 8750

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMN50EPEX Nexperia
	PMN50UPE,115 Rochester Electronics
	PMN52XP115 Rochester Electronics
	PMN55LN,135 Rochester Electronics
	PMN55ENEH Nexperia
	PMN55ENEX Nexperia
	PMN55ENEAX Nexperia
	PMN52XPX Nexperia
	PMN50XP,165 NXP Semiconductors

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.