Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | DMP1011UCB9-7 |
Истеҳсолкунанда: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Қисми Тавсифи: | MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 |
Варақаҳои маълумот: | DMP1011UCB9-7 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | - |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 8 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | -6V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 4 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 890mW (Ta) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | U-WLB1515-9 |
Бастаи / Парвандаи | 9-UFBGA, WLBGA |
Ҳолати саҳҳомӣ: 384111000
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.