Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | DMN2250UFB-7B |
Истеҳсолкунанда: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN |
Варақаҳои маълумот: | DMN2250UFB-7B Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | - |
Баста | Tape & Reel (TR) |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 20 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 1.35A (Ta) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 3.1 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±8V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 94 pF @ 16 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 500mW (Ta) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | X1-DFN1006-3 |
Бастаи / Парвандаи | 3-UFDFN |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.