Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | AOWF25S65 |
Истеҳсолкунанда: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Қисми Тавсифи: | MOSFET N-CH 650V 25A TO262F |
Варақаҳои маълумот: | AOWF25S65 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | aMOS™ |
Баста | Tube |
Статуси қисми | Not For New Designs |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 650 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 26.4 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1278 pF @ 100 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 28W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Through Hole |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | - |
Бастаи / Парвандаи | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.