PMZ250UN,315

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMZ250UN,315
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Варақаҳои маълумот:	PMZ250UN,315 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	TrenchMOS™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	20 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	2.28A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	45 pF @ 20 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	2.5W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DFN1006-3
Бастаи / Парвандаи	SC-101, SOT-883

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 90300

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMZ200UNE315 Rochester Electronics
	PMZ290UN315 Rochester Electronics
	PMZ290UNE2YL Nexperia
	PMZ270XN,315 Nexperia
	PMZ290UNEYL Rochester Electronics
	PMZ250UN,315 Rochester Electronics
	PMZ200UNEYL Nexperia
	PMZ290UNYL Nexperia
	PMZ290UNE315 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.