R8002ANX

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	R8002ANX
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Варақаҳои маълумот:	R8002ANX Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Not For New Designs
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	800 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	12.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	35W (Tc)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-220FM
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3 Full Pack

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 488

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	R8002ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8005ANX ROHM Semiconductor
	R8002ANX ROHM Semiconductor
	R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8008ANX ROHM Semiconductor
	R8005ANJFRGTL ROHM Semiconductor
	R8007AND3FRATL ROHM Semiconductor
	R8001CND3FRATL ROHM Semiconductor
	R8002CND3FRATL ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.