IMW65R048M1HXKSA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IMW65R048M1HXKSA1
Истеҳсолкунанда:	IR (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи:	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: IR (Infineon Technologies) #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	-
Технология	-
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	-
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	39A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	-
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	-
Ҳарорати корӣ	-
Навъи васл	-
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	-
Бастаи / Парвандаи	-

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 1468

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	IMW65R072M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW65R107M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW65R048M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW65R027M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.