PMV32UP,215

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMV32UP,215
Истеҳсолкунанда:	Nexperia
Қисми Тавсифи:	MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Варақаҳои маълумот:	PMV32UP,215 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Nexperia #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	P-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	20 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	15.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1890 pF @ 10 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	510mW (Ta)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-236AB
Бастаи / Парвандаи	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 3905

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMV32UP/MI215 Rochester Electronics
	PMV35EPER Nexperia
	PMV30XPAR Nexperia
	PMV31XN,215 Rochester Electronics
	PMV30XPEAR Nexperia
	PMV37ENEAR Nexperia
	PMV33UPE,215 Nexperia
	PMV32UP/MIR Nexperia
	PMV37EN,215 Rochester Electronics
	PMV37EN2R Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.