TK30E06N1,S1X

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	TK30E06N1,S1X
Истеҳсолкунанда:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Варақаҳои маълумот:	TK30E06N1,S1X Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	U-MOSVIII-H
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	60 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	43A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1050 pF @ 30 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	53W (Tc)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-220
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	TK30A06N1,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK30E06N1,S1X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.