FQI9N50TU

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FQI9N50TU
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Варақаҳои маълумот:	FQI9N50TU Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	QFET®
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	500 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1.45 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	3.13W (Ta), 147W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	I2PAK (TO-262)
Бастаи / Парвандаи	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 756

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FQI9N08LTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI9N15TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI9N50CTU Rochester Electronics
	FQI9N50TU Rochester Electronics
	FQI9N25CTU Rochester Electronics
	FQI9N08TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.