PMXB56ENZ

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMXB56ENZ
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET
Варақаҳои маълумот:	PMXB56ENZ Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	209 pF @ 15 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DFN1010D-3
Бастаи / Парвандаи	3-XDFN Exposed Pad

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMXB65UPEZ Nexperia
	PMXB75UPEZ Nexperia
	PMXB360ENEAZ Nexperia
	PMXB65ENEZ Nexperia
	PMXB43UNEZ Nexperia
	PMXB120EPEZ Nexperia
	PMXB56ENZ Rochester Electronics
	PMXB350UPEZ Nexperia
	PMXB40UNEZ Nexperia
	PMXB360ENEA147 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.