STF9NK80Z

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	STF9NK80Z
Истеҳсолкунанда:	STMicroelectronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
Варақаҳои маълумот:	STF9NK80Z Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: STMicroelectronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	SuperMESH™
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	800 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	7.5A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	35W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-220FP
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3 Full Pack

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	STF9NK60ZD STMicroelectronics
	STF9N65M2 STMicroelectronics
	STF9NK90Z STMicroelectronics
	STF9N60M2 STMicroelectronics
	STF9NM50N STMicroelectronics
	STF9HN65M2 STMicroelectronics
	STF9NK80Z STMicroelectronics
	STF9N80K5 STMicroelectronics
	STF9NM60N STMicroelectronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.