IQE013N04LM6ATMA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IQE013N04LM6ATMA1
Истеҳсолкунанда:	IR (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Варақаҳои маълумот:	IQE013N04LM6ATMA1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: IR (Infineon Technologies) #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	OptiMOS™
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	40 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	31A (Ta), 205A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 51µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 20 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount, Wettable Flank
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	PG-TSON-8-4
Бастаи / Парвандаи	8-PowerTDFN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 9828

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	IQE006NE2LM5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE006NE2LM5CGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE013N04LM6ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.