FCA20N60

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FCA20N60
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	20A, 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL,
Варақаҳои маълумот:	FCA20N60 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	SuperFET™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	600 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	3.08 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	208W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3PN
Бастаи / Парвандаи	TO-3P-3, SC-65-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 20517

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FCA20N60FS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FCA22N60N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FCA20N60-F109 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FCA20N60 Rochester Electronics
	FCA20N60F Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.