PMV20ENR

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PMV20ENR
Истеҳсолкунанда:	Nexperia
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Варақаҳои маълумот:	PMV20ENR Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Nexperia #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	10.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	435 pF @ 15 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-236AB
Бастаи / Парвандаи	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 83321

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	PMV20EN215 Rochester Electronics
	PMV20XNER Nexperia
	PMV22EN,215 Rochester Electronics
	PMV25ENEA215 Rochester Electronics
	PMV27UPEAR Nexperia
	PMV20XNE215 Rochester Electronics
	PMV230ENEAR Nexperia
	PMV27UPER Nexperia
	PMV28UNEAR Nexperia
	PMV240SPR Nexperia

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.