IRFN214BTA_FP001

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	IRFN214BTA_FP001
Истеҳсолкунанда:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
Варақаҳои маълумот:	IRFN214BTA_FP001 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Box (TB)
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	250 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	1.8W (Ta)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-92-3
Бастаи / Парвандаи	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	IRFNL210BTA-FP001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	IRFN214BTA_FP001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.