TPS1100DR

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	TPS1100DR
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Варақаҳои маълумот:	TPS1100DR Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	P-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	15 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	5.45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+2V, -15V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	-
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	791mW (Ta)
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SOIC
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 1064

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	TPS1100D Texas Instruments
	TPS1100PW Texas Instruments
	TPS1101PWR Rochester Electronics
	TPS1100PWR Rochester Electronics
	TPS1101DR Texas Instruments
	TPS1101D Texas Instruments
	TPS1100DR Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.