RGTH40TK65DGC11

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	RGTH40TK65DGC11
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	IGBT
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди IGBT	Trench Field Stop
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	650 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	23 A
Ҷорӣ - Коллектор импулс (Icm)	80 A
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 20A
Ҳокимият - Макс	56 W
Гузариш Энергия	-
Навъи вуруд	Standard
Пардохти дарвоза	40 nC
Td (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C	22ns/73ns
Ҳолати санҷишӣ	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	58 ns
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-3PFM, SC-93-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3PFM

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 449

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	RGTH40TK65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH60TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTH00TK65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH00TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGTH00TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
	RGTH60TK65GC11 ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.