RGT8NS65DGTL

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	RGT8NS65DGTL
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Варақаҳои маълумот:	RGT8NS65DGTL Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди IGBT	Trench Field Stop
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	650 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	8 A
Ҷорӣ - Коллектор импулс (Icm)	12 A
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Ҳокимият - Макс	65 W
Гузариш Энергия	-
Навъи вуруд	Standard
Пардохти дарвоза	13.5 nC
Td (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C	17ns/69ns
Ҳолати санҷишӣ	400V, 4A, 50Ohm, 15V
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	40 ns
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	LPDS (TO-263S)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 922

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	RGT8TM65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.