FGA50S110P

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FGA50S110P
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Варақаҳои маълумот:	FGA50S110P Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди IGBT	Trench Field Stop
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	1.1 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	50 A
Ҷорӣ - Коллектор импулс (Icm)	120 A
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 50A
Ҳокимият - Макс	300 W
Гузариш Энергия	-
Навъи вуруд	Standard
Пардохти дарвоза	195 nC
Td (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C	-
Ҳолати санҷишӣ	-
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	-
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-3P-3, SC-65-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3PN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 38700

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FGA5065ADF Rochester Electronics
	FGA50N100BNTD2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50N60LS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50T65SHD Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50S110P Rochester Electronics
	FGA50N100BNTDTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50N100BNTTU Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.