FGA70N33BTDTU

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FGA70N33BTDTU
Истеҳсолкунанда:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Қисми Тавсифи:	IGBT 330V 149W TO3P
Варақаҳои маълумот:	FGA70N33BTDTU Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Намуди IGBT	Trench
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	330 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	-
Ҷорӣ - Коллектор импулс (Icm)	220 A
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 70A
Ҳокимият - Макс	149 W
Гузариш Энергия	-
Навъи вуруд	Standard
Пардохти дарвоза	49 nC
Td (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C	-
Ҳолати санҷишӣ	-
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	23 ns
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-3P-3, SC-65-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3P

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FGA70N30TDTU Rochester Electronics
	FGA70N33BTDTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA70N30TTU Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.