GC10MPS12-252

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	GC10MPS12-252
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Варақаҳои маълумот:	GC10MPS12-252 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди диод	Silicon Carbide Schottky
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	1200 V
Ҷорӣ - миёнаи тасҳеҳшуда (Io)	50A (DC)
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	1.8 V @ 10 A
Суръат	No Recovery Time > 500mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	0 ns
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	10 µA @ 1200 V
Иқтидори @ Vr, F	660pF @ 1V, 1MHz
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-252-2
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-55°C ~ 175°C

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2114

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor
	GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.